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IRG4CC50FB

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRG4CC50FB概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel, 6 INCH, WAFER

IRG4CC50FB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明6 INCH, WAFER
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FAST SPEED
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值6 V
JESD-30 代码O-XUUC-N
JESD-609代码e0
元件数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

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