HB56D236SBW-7BL,HB56D236SBW-7BL pdf中文资料,HB56D236SBW-7BL引脚图,HB56D236SBW-7BL电路-Datasheet-电子工程世界

HB56D236SBW-7BL: 产品描述Fast Page DRAM Module, 2MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小266KB，共12页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HB56D236SBW-7BL概述

Fast Page DRAM Module, 2MX36, 70ns, CMOS, SIMM-72

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SIMM
包装说明	,
针数	72
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度	18
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	75497472 bi
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	SINGLE

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