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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> HGTP15N40C1
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HGTP15N40C1

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB，共5页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HGTP15N40C1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

HGTP15N40C1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE
最大降落时间（tf）500 ns
门极发射器阈值电压最大值4.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间（tr）50 ns
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）400 ns
最大开启时间（吨）50 ns
VCEsat-Max3.2 V

HGTP15N40C1相似产品对比

HGTP15N40C1 HGTH20N40E1 HGTH20N50C1 HGTH20N40C1 HGTP15N50C1 HGTP15N50E1 HGTP15N40E1
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-218AC Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknow unknow unknow
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 15 A 20 A 20 A 20 A 15 A 15 A 15 A
集电极-发射极最大电压 400 V 400 V 500 V 400 V 500 V 500 V 400 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大降落时间（tf） 500 ns 1000 ns 500 ns 500 ns 500 ns 1000 ns 1000 ns
门极发射器阈值电压最大值 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-218AC TO-218AC TO-218AC TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 75 W 100 W 100 W 100 W 75 W 75 W 75 W
最大功率耗散 (Abs) 75 W 100 W 100 W 100 W 75 W 75 W 75 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大上升时间（tr） 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns
最大开启时间（吨） 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns 50 ns
VCEsat-Max 3.2 V 3.2 V 3.2 V 3.2 V 3.2 V 3.2 V 3.2 V
厂商名称 Harris - - Harris Harris Harris Harris

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