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GS8662Q07BGD-333

产品描述DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小390KB,共28页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS8662Q07BGD-333在线购买

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GS8662Q07BGD-333概述

DDR SRAM, 8MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

GS8662Q07BGD-333规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间0.45 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.27 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
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