电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N914-B

产品描述SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N914-B概述

SILICON, SIGNAL DIODE

1N914-B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1N914 / 1N914A / 1N914B
FAST SWITCHING
DIODE
Features
·
·
·
·
Fast Switching Speed
High Reliability
High Conductance
For General Purpose Switching Applications
A
B
A
D
C
Mechanical Data
·
·
·
·
Case: DO-35, Glass
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Marking: Type Number
Weight: 0.013 grams (approx.)
Dim
A
B
C
D
DO-35
Min
25.40
¾
¾
¾
Max
¾
4.00
0.60
2.00
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
(Note 1)
Average Rectified Output Current
(Note 1)
1N914
1N914A/B
1N914
1N914A/B
Symbol
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
, T
STG
Value
100
75
53
150
300
75
200
1.0
1.0
4.0
500
1.68
300
-65 to +175
Unit
V
V
V
mA
mA
A
mW
mW/°C
K/W
°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0s
1N914 @ t = 1.0ms
1N914A/B @ t = 1.0ms
Power Dissipation (Note 1)
Derate Above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Electrical Characteristics
Characteristic
Maximum Forward Voltage
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
1N914B
1N914B
1N914
1N914A
V
FM
Min
0.62
¾
¾
¾
¾
¾
¾
Max
0.72
1.0
1.0
1.0
5.0
50
25
4.0
4.0
Unit
V
mA
mA
nA
pF
ns
Test Condition
I
F
= 5.0mA
I
F
= 100mA
I
F
= 10mA
I
F
= 20mA
V
R
= 75V
V
R
= 20V, T
j
= 150°C
V
R
= 20V
V
R
= 0, f = 1.0MHz
I
F
= 10mA to I
R
=1.0mA
V
R
= 6.0V, R
L
= 100W
Maximum Peak Reverse Current
Capacitance
Reverse Recovery Time
I
RM
C
j
t
rr
Notes: 1. Valid provided that lead are kept at ambient temperature at a distance of 8.0mm.
DS22001 Rev. E-4
1 of 2
1N914 / 1N914A / 1N914B

1N914-B相似产品对比

1N914-B
描述 SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 Diodes
包装说明 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknow
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2
元件数量 1
端子数量 2
最高工作温度 200 °C
最低工作温度 -65 °C
封装主体材料 GLASS
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
最大功率耗散 0.25 W
认证状态 Not Qualified
最大反向电流 5 µA
最大反向恢复时间 0.004 µs
表面贴装 NO
端子形式 WIRE
端子位置 AXIAL
Base Number Matches 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 614  447  589  1066  2873  13  9  12  22  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved