Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N5626TR

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1N5626TR: 产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小33KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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1N5626TR概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N5626TR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流	100 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向电流	1 µA
最大反向恢复时间	6 µs
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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1N5624...1N5627

Vishay Telefunken

Silicon Mesa Rectifiers

Features

Glass passivated junction

Hermetically sealed package

Controlled avalanche characteristics

Low reverse current

High surge current loading

Applications

Rectifier, general purpose

94 9588

Absolute Maximum Ratings

= 25

Parameter

Reverse voltage=

Repetitive peak reverse voltage

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current

Average forward current

Pulse avalanche peak power

=10ms, half sinewave

Test Conditions

Type

1N5624

1N5625

1N5626

1N5627

Symbol

RRM

FSM

FRM

FAV

stg

Value

200

400

600

800

100

1000

–65...+175

Unit

=20

s, half sine wave,

=175

Pulse energy in avalanche mode,

(BR)R

=1A, T

=175

non repetitive (inductive load

switch off)

*t–rating

Junction and storage tempera-

ture range

Maximum Thermal Resistance

= 25

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=10mm, T

=constant

on PC board with spacing 25mm

Symbol

thJA

hJA

Value

Unit

K/W

Document Number 86063

Rev. 2, 27-Sep-00

www.vishay.com

1 (4)

1N5624...1N5627

Vishay Telefunken

Ozone Depleting Substances Policy Statement

It is the policy of

Vishay Semiconductor GmbH

1. Meet all present and future national and international statutory requirements.

2. Regularly and continuously improve the performance of our products, processes, distribution and operating

systems with respect to their impact on the health and safety of our employees and the public, as well as their

impact on the environment.

It is particular concern to control or eliminate releases of those substances into the atmosphere which are known as

ozone depleting substances ( ODSs ).

The Montreal Protocol ( 1987 ) and its London Amendments ( 1990 ) intend to severely restrict the use of ODSs and

forbid their use within the next ten years. Various national and international initiatives are pressing for an earlier ban

on these substances.

Vishay Semiconductor GmbH

has been able to use its policy of continuous improvements to eliminate the use of

ODSs listed in the following documents.

1. Annex A, B and list of transitional substances of the Montreal Protocol and the London Amendments respectively

2 . Class I and II ozone depleting substances in the Clean Air Act Amendments of 1990 by the Environmental

Protection Agency ( EPA ) in the USA

3. Council Decision 88/540/EEC and 91/690/EEC Annex A, B and C ( transitional substances ) respectively.

Vishay Semiconductor GmbH

can certify that our semiconductors are not manufactured with ozone depleting

substances and do not contain such substances.

We reserve the right to make changes to improve technical design and may do so without further notice.

Parameters can vary in different applications. All operating parameters must be validated for each customer application

by the customer. Should the buyer use Vishay-Telefunken products for any unintended or unauthorized application, the

buyer shall indemnify Vishay-Telefunken against all claims, costs, damages, and expenses, arising out of, directly or

indirectly, any claim of personal damage, injury or death associated with such unintended or unauthorized use.

Vishay Semiconductor GmbH, P.O.B. 3535, D-74025 Heilbronn, Germany

Telephone: 49 ( 0 ) 7131 67 2831, Fax number: 49 ( 0 ) 7131 67 2423

www.vishay.com

4 (4)

Document Number 86063

Rev. 2, 27-Sep-00

1N5626TR相似产品对比

	1N5626TR	1N5625TR	1N5624TR	1N5627TR
描述	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
包装说明	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2	E-LALF-W2	HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
应用	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE	GENERAL PURPOSE
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V
JESD-30 代码	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2	E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流	100 A	100 A	100 A	100 A
元件数量	1	1	1	1
相数	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	3 A	3 A	3 A	3 A
封装主体材料	GLASS	GLASS	GLASS	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	400 V	200 V	800 V
最大反向电流	1 µA	1 µA	1 µA	1 µA
最大反向恢复时间	6 µs	6 µs	6 µs	6 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1	1	1

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