MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 0.450 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-28 |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.5 mm |
| 内存密度 | 262144 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.7 mm |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8.8 mm |
| TC55257DFL-70V | TC55257DFT-85V | TC55257DFT-70V | TC55257DFT-55V | TC55257DFL-85V | GS3AA | RX55257DPL | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT | SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER DIODES | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT |
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