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1N3767

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小151KB,共5页
制造商Semicon Components Inc
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1N3767概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon

1N3767规格参数

参数名称属性值
厂商名称Semicon Components Inc
包装说明O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknow
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流500 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压900 V
最大反向电流7000 µA
最大反向恢复时间5 µs
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER

1N3767相似产品对比

1N3767 1N3670A 1N3766
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 900V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 700V V(RRM), Silicon Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 35A, 800V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Semicon Components Inc Semicon Components Inc Semicon Components Inc
包装说明 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.8 V 1.35 V 1.8 V
JESD-30 代码 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1 O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流 500 A 240 A 500 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 1 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 35 A 12 A 35 A
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT POST/STUD MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 900 V 700 V 800 V
最大反向电流 7000 µA 900 µA 7000 µA
表面贴装 NO NO NO
端子形式 SOLDER LUG SOLDER LUG SOLDER LUG
端子位置 UPPER UPPER UPPER
最大反向恢复时间 5 µs 5 µs -
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