SMLJ150C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 150V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

SMLJ150C规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	International Semiconductor Inc
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW INDUCTANCE
最大击穿电压	204 V
最小击穿电压	167 V
击穿电压标称值	186 V
最大钳位电压	268 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	3000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	BIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	150 V
最大反向电流	5 µA
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL

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