Zener Diode, 190V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | International Semiconductor Inc |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | GENERAL PURPOSE |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | ZENER DIODE |
最大动态阻抗 | 2400 Ω |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
标称参考电压 | 190 V |
表面贴装 | NO |
技术 | ZENER |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
最大电压容差 | 10% |
工作测试电流 | 0.66 mA |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved