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HMTP-65779M-6:D

产品描述Cache SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, PDSO28
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文件大小229KB,共10页
制造商Matra MHS
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HMTP-65779M-6:D概述

Cache SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, PDSO28

HMTP-65779M-6:D规格参数

参数名称属性值
厂商名称Matra MHS
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G28
内存密度73728 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织8KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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