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HMT-65767BN-5:R

产品描述Standard SRAM, 16KX1, 50ns, CMOS, PDSO20
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文件大小196KB,共8页
制造商Matra MHS
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HMT-65767BN-5:R概述

Standard SRAM, 16KX1, 50ns, CMOS, PDSO20

HMT-65767BN-5:R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Matra MHS
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间50 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G20
内存密度16384 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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