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TC55NEM208AFPN70

产品描述TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小107KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC55NEM208AFPN70概述

TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55NEM208AFPN70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度20.6 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.8 mm
最大待机电流0.000003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.7 mm

TC55NEM208AFPN70相似产品对比

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描述 TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) - - Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 SOIC - - SOIC - TSOP2 TSOP2
包装说明 SOP, SOP32,.56 - - 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32 - TSOP2, TSOP32,.46 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-32
针数 32 - - 32 - 32 32
Reach Compliance Code unknow - - unknow - unknow unknow
最长访问时间 70 ns - - 55 ns - 70 ns 55 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 - - R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
长度 20.6 mm - - 20.6 mm - 20.95 mm 20.95 mm
内存密度 4194304 bi - - 4194304 bi - 4194304 bi 4194304 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - - STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 - - 8 - 8 8
功能数量 1 - - 1 - 1 1
端子数量 32 - - 32 - 32 32
字数 524288 words - - 524288 words - 524288 words 524288 words
字数代码 512000 - - 512000 - 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - - 85 °C - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - - -40 °C - -40 °C -40 °C
组织 512KX8 - - 512KX8 - 512KX8 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - - SOP - TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL - - PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.8 mm - - 2.8 mm - 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - - 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - - 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - - 5 V - 5 V 5 V
表面贴装 YES - - YES - YES YES
技术 CMOS - - CMOS - CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - - INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING - - GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm - - 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - - DUAL - DUAL DUAL
宽度 10.7 mm - - 10.7 mm - 10.16 mm 10.16 mm

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