TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP32,.56 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 70 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
长度 | 20.6 mm |
内存密度 | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP32,.56 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.8 mm |
最大待机电流 | 0.000003 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.7 mm |
TC55NEM208AFPN70 | TC55NEM208A | TC55NEM208AFPN | TC55NEM208AFPN55 | TC55NEM208AFTN | TC55NEM208AFTN70 | TC55NEM208AFTN55 | |
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描述 | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | - | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | - | - | Toshiba(东芝) | - | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | SOIC | - | - | SOIC | - | TSOP2 | TSOP2 |
包装说明 | SOP, SOP32,.56 | - | - | 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32 | - | TSOP2, TSOP32,.46 | 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
针数 | 32 | - | - | 32 | - | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknow | - | - | unknow | - | unknow | unknow |
最长访问时间 | 70 ns | - | - | 55 ns | - | 70 ns | 55 ns |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | - | - | R-PDSO-G32 | - | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
长度 | 20.6 mm | - | - | 20.6 mm | - | 20.95 mm | 20.95 mm |
内存密度 | 4194304 bi | - | - | 4194304 bi | - | 4194304 bi | 4194304 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | - | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 | - | - | 8 | - | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | - | - | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | - | - | 32 | - | 32 | 32 |
字数 | 524288 words | - | - | 524288 words | - | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | - | - | 512000 | - | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | - | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | - | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | - | - | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C |
组织 | 512KX8 | - | - | 512KX8 | - | 512KX8 | 512KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | - | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | - | - | SOP | - | TSOP2 | TSOP2 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | - | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | - | - | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified | - | - | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.8 mm | - | - | 2.8 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | - | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | - | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | - | 5 V | - | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | - | - | YES | - | YES | YES |
技术 | CMOS | - | - | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | - | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | - | - | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | - | - | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | - | - | DUAL | - | DUAL | DUAL |
宽度 | 10.7 mm | - | - | 10.7 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
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