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SQ1220A: 产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小116KB，共2页; 制造商Msi Electronics Inc

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SQ1220A概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

参数名称	属性值
厂商名称	Msi Electronics Inc
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	VERY HIGH Q
最小击穿电压	30 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管电容容差	10%
最小二极管电容比	2.7
标称二极管电容	6.8 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大功率耗散	0.25 W
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	1000
最大重复峰值反向电压	30 V
最大反向电流	2e-8 µA
反向测试电压	25 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
变容二极管分类	ABRUPT

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