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LP1019E

产品描述Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 5.6pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共2页
制造商Msi Electronics Inc
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LP1019E概述

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 5.6pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt

LP1019E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE
最小击穿电压25 V
配置SINGLE
最小二极管电容比4.4
标称二极管电容5.6 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数800
最大重复峰值反向电压25 V
最大反向电流2e-8 µA
反向测试电压20 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类ABRUPT
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