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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> EP1034H

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EP1034H: 产品描述Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 22pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小121KB，共2页; 制造商Msi Electronics Inc

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EP1034H概述

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 22pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

EP1034H规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Msi Electronics Inc
包装说明	O-MUPM-N1
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW INDUCTANCE
最小击穿电压	30 V
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
最小二极管电容比	2.9
标称二极管电容	22 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码	O-MUPM-N1
元件数量	1
端子数量	1
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
最大功率耗散	5 W
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	800
最大重复峰值反向电压	30 V
最大反向电流	2e-8 µA
反向测试电压	25 V
表面贴装	NO
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
变容二极管分类	ABRUPT

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