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MRF837

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M238, MACRO-X-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共3页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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MRF837概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, M238, MACRO-X-4

MRF837规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量2.75 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF837
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Specified @ 12.5V, 870 MHz characteristics
Output Power = 750 mW
Minimum Gain = 8.0dB
Efficiency 60% Typical
Cost Effective Macro-X package
Macro X
DESCRIPTION:
Designed primarily for wideband large signal stages in
the 800 MHz and UHF frequency ranges.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25°C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
STG
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Device Dissipation @ TC = 50ºC
Storage Junction Temperature Range
Value
16
30
3
200
2.5
-65 to +150
Unit
V
V
V
mA
W
ºC
Thermal Data
R
TH(J-C)
Thermal Resistance Junction-Case
40
°C/W
MSC1318.PDF 10-25-99
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