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VN0104N3

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB,共2页
制造商Topaz Semiconductor
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VN0104N3概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

VN0104N3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Topaz Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

VN0104N3相似产品对比

VN0104N3 VN0109N3 VN0106N3 VN0109ND
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Reach Compliance Code unknow unknown unknow unknown
配置 Single Single Single Single
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO NO YES
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.5 A 0.5 A 0.5 A -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -

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