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2SB1197

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小419KB,共4页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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2SB1197概述

Small Signal Bipolar Transistor,

2SB1197规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
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