Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 8 Element, Silicon, SO-16
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd |
包装说明 | R-PDSO-G16 |
Reach Compliance Code | compli |
最小击穿电压 | 4 V |
配置 | SEPARATE, 8 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 300 W |
元件数量 | 8 |
端子数量 | 16 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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