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SDF9N100SXHEZ

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
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SDF9N100SXHEZ概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, 3 PIN

SDF9N100SXHEZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Solitron Devices Inc
零件包装代码TO-3-3L
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻1.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)160 pF
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)36 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)143 ns
最大开启时间(吨)62 ns

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