SDF20N60GAFSHU1Z,SDF20N60GAFSHU1Z pdf中文资料,SDF20N60GAFSHU1Z引脚图,SDF20N60GAFSHU1Z电路-Datasheet-电子工程世界

SDF20N60GAFSHU1Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小65KB，共1页; 制造商Solitron Devices Inc

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SDF20N60GAFSHU1Z概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Solitron Devices Inc
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (ID)	20 A
最大漏源导通电阻	0.35 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-MSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	80 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	325 ns
最大开启时间（吨）	210 ns

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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