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COP8SBR9HVA8

产品描述8-Bit CMOS Flash Based Microcontroller with 32k Memory, Virtual EEPROM and Brownout
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小904KB,共80页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 文档解析

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COP8SBR9HVA8概述

8-Bit CMOS Flash Based Microcontroller with 32k Memory, Virtual EEPROM and Brownout

COP8SBR9HVA8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明PLASTIC, LCC-44
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
具有ADCNO
地址总线宽度
位大小8
CPU系列COP800
最大时钟频率10 MHz
DAC 通道NO
DMA 通道NO
外部数据总线宽度
JESD-30 代码S-PQCC-J44
JESD-609代码e0
长度16.51 mm
湿度敏感等级2A
I/O 线路数量38
端子数量44
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
PWM 通道YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC44,.7SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)220
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
RAM(字节)1024
ROM(单词)32768
ROM可编程性FLASH
座面最大高度4.57 mm
速度20 MHz
最大压摆率14.7 mA
最大供电电压5.5 V
最小供电电压2.7 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度16.51 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MICROCONTROLLER

文档解析

COP8SBR9/SCR9/SDR9系列是National Semiconductor推出的8位CMOS闪存微控制器,基于COP8核心架构。这些设备集成了32k字节的Flash程序内存、1k字节的RAM以及虚拟EEPROM功能,适用于需要大容量存储和低电磁干扰(EMI)的嵌入式系统。支持2.7V至5.5V宽电压操作,具有在系统编程(ISP)能力,允许开发和生产阶段使用相同硬件,简化了设计流程。该系列包括COP8SBR9(低电压Brownout Reset)、COP8SCR9(高电压Brownout Reset)和COP8SDR9(无Brownout Reset)三种型号,覆盖不同应用需求。 关键特性包括32k字节Flash内存,支持100,000次读写周期和100年数据保留;虚拟EEPROM利用Flash模拟非易失性存储,无需额外硬件。通信接口集成USART片上波特率生成器和MICROWIRE/PLUS兼容串行接口。三个16位定时器(T2和T3支持高速模式,分辨率达50ns),可工作于PWM、事件计数和输入捕获模式。电源管理特性包括HALT/IDLE省电模式、双时钟系统(高速振荡器最高10MHz,低速振荡器32.768kHz),以及多输入唤醒功能,优化了能耗效率。中断系统处理13个多源向量中断,如外部中断、定时器中断和串行通信中断。 这些微控制器广泛应用于工业自动化、消费电子和汽车电子领域。在系统编程支持通过MICROWIRE/PLUS或自定义接口更新固件,减少现场维护成本。低EMI设计和宽温度范围(-40°C至+85°C或+125°C)确保在苛刻环境中的可靠性,例如电池供电设备和传感器网络中,HALT模式可将功耗降至微安级,延长电池寿命。
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