电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

CV+1250M14B

产品描述RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 320V, 154J, THROUGH HOLE MOUNT
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小119KB,共4页
制造商SEI(Stackpole Electronics Inc.)
官网地址https://www.seielect.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

CV+1250M14B概述

RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 320V, 154J, THROUGH HOLE MOUNT

CV+1250M14B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEI(Stackpole Electronics Inc.)
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
电路直流最大电压320 V
电路RMS最大电压250 V
最大能量吸收容量154 J
JESD-609代码e3
制造商序列号CV+
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
端子数量2
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装形状DISK PACKAGE
包装方法BULK
额定功率耗散 (P)0.6 W
电阻器类型VARISTOR
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子位置RADIAL
端子形状WIRE
Sipeed 高云GW2A PLL简单使用
哈喽,大家好~今天这里简单分享一下高云的PLL的使用方法,仅限于入门使用哈~这里直接使用IP Core Generator,在如下位置。打开页面后,双击rPLL,会弹出设置界面。高云的PLL分为一般模式和高级模式,因为还没有仔细研究过手册,所以这里直接使用一般模式,很简单。简单模式下只需要修改CLKIN和CLKOUT两个地方即可。如下图。高云GW2A开发板的外部时钟频率是27MHz,在CLKIN里...
WSir14138 国产芯片交流
Sipeed 高云GW2A SVPWM发波测试
哈喽,大家好~这里分享一下将之前的计算出来的SVPWM通过IO发送出来。先用锯齿载波测试一下,实现方式如下:always @(posedge clk) beginif (!reset) begincounter_18k = 32'd0;endelse if (counter_18k = count_value_18k) beginsvpwm1_reg = svpwm1;svpwm2_reg = s...
WSir14138 国产芯片交流
【贝能高性价比ATSAMD51评估板】KEIL环境搭建/点亮LED0/使LED闪烁
收到开发板有一些时间了,前些时间一直在忙着工作试产,没有在第一时间测评开发板。下面开始测评:1、添加头文件:环境搭建前找头文件找了三天,结果没有找到相关的头文件,从周三开始就一直在找有关ATSAMD51P20A.PACK文件,所以一直拖到今天上午,终于想到之前安装PACK文件时用到的一种方法,下面上图,贴出我是怎么解决的。这几天一直在官网找ATSAMD51P20A这个的资料,一点一点的看官方的资料...
meiyao Microchip MCU
推荐一个非常好的freertos学习教材
最近重新复习了一下freertos,在B站上找到一个非常好的教材,是基于ESP32的freertos,同时UP主还介绍了其他的一些非常有用的知识。非常推荐一下有时间的可以去看看。什么是RTOS? - 孤独的二进制 - ESP32上的FREERTOS_哔哩哔哩_bilibili...
lugl4313820 国产芯片交流
【投票瓜分2500元红包】2022得捷电子创新设计大赛优秀作品人气奖由你来定!
2022得捷电子创新设计大赛,由得捷电子和EEWorld联合举办,历时8个月,在上百位技术大神的积极参与下,收到了丰富多彩的参赛作品,涉及电源、智能家居、人脸识别、数据采集等各领域,实现方式与呈现效果多元化。在此,特别感谢熬夜爆肝DIY的工程师们,是你们将无变成有,让想法落地生花,为物联网赋能,为科技创新添砖加瓦!即日起-2022年12月26日,本届大赛网络人气作品投票通道开启,快为你喜爱的作品投...
EEWORLD社区 DigiKey得捷技术专区
未来几年会出现哪些 GaN 创新技术?
现在GaN很火 ,人们似乎忘记了GaN 依然是一项相对较新的技术,仍处于发展初期,还有较大的改进潜力和完善空间。本文将介绍多项即将出现的 GaN 创新技术,并预测未来几年这些创新技术对基站设计和发展的影响。功率密度我们预计在未来三到五年内,GaN 强大的功率密度将得到进一步提升。如今已有方法利用 GaN 实现更高的功率密度,但成本极高,从商业角度而言还不可行。例如将 GaN 置于金刚石而非碳化硅衬...
兰博 RF/无线

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 451  520  1040  1239  1342 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved