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LSG04N65

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 0.96ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小853KB,共11页
制造商龙腾半导体(LONTEN)
官网地址http://www.lonten.cc
标准
龙腾半导体有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发及销售于一体的高新技术企业。公司视技术创新为企业发展的核心竞争力,建有国内一流水准的研发中心及应用测试实验室。公司通过ISO9001-2015质量体系认证,在功率半导体器件设计及应用领域申请83项专利。 公司建有国内一流水准的研发中心及实验室。公司推出的超结功率场效应管(Super Junction VDMOS、Shielding Gate VDMOS)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD)等系列产品具有高能效、高可靠性及高性价比的优点,已在计算机及服务器电源、LED驱动电源、充电器、适配器、TV板卡电源等多个领域得到广泛应用;在新能源汽车充电桩、车载充电机、汽车电机驱动、光伏逆变器、工业变频器、UPS、电焊机市场等领域持续增长。
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LSG04N65概述

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 0.96ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252,

LSG04N65规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称龙腾半导体(LONTEN)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)130 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻0.96 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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