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TS8P01G

产品描述8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小303KB,共4页
制造商TM Technology, Inc.
官网地址http://www.tmtech.com.tw/
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TS8P01G概述

8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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TS8P01G - TS8P07G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
8A, 50V - 1000V Glass Passivated Bridge Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction
- Ideal for printed circuit board
- Typical IR less than 0.1μA
- High surge current capability
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
+
~
~ –
TS-6P
MECHANICAL DATA
Case:
TS-6P
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Polarity as marked on the body
Mounting torque:
8.17 in-lbs maximum
Weight:
7.15 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@4A
@8A
Maximum reverse current @ rated V
R
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
TS8P
01G
50
35
50
TS8P
02G
100
70
100
TS8P
03G
200
140
200
TS8P
04G
400
280
400
8
200
166
1.0
1.1
10
500
1.4
- 55 to +150
- 55 to +150
TS8P
05G
600
420
600
TS8P
06G
800
560
800
TS8P
07G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
I
R
R
θJC
T
J
T
STG
μA
°C/W
°C
°C
Version: K1604

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