电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SW08PHR470

产品描述DIODE 350 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共2页
制造商IXYS
下载文档 详细参数 全文预览

SW08PHR470概述

DIODE 350 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode

SW08PHR470规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明O-MUPM-H1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流9000 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最大输出电流350 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子形式HIGH CURRENT CABLE
端子位置UPPER

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 411  1077  1141  1437  1591 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved