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IXTM5N100: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-204AA, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小612KB，共4页; 制造商IXYS; 标准

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IXTM5N100概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-204AA, 2 PIN

	IXTM5N100	IXTM5N100A
描述	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-204AA, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, TO-204AA, 2 PIN
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	IXYS	IXYS
零件包装代码	TO-3	TO-3
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2	2
Reach Compliance Code	unknow	compliant
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	5 A	5 A
最大漏极电流 (ID)	5 A	5 A
最大漏源导通电阻	2.4 Ω	2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AA	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1
端子数量	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	180 W	180 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	20 A	20 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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