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IXTA48P05T: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小286KB，共6页; 制造商IXYS; 标准

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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, 3 PIN

	IXTA48P05T	IXTP48P05T
描述	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	IXYS	IXYS
零件包装代码	D2PAK	TO-220AB
包装说明	TO-263AA, 3 PIN	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3	3
Reach Compliance Code	_compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ	300 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	50 V	50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	48 A	48 A
最大漏极电流 (ID)	48 A	48 A
最大漏源导通电阻	0.03 Ω	0.03 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	150 A	150 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON