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IXTA1R4N100P

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小260KB,共5页
制造商IXYS
标准  
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IXTA1R4N100P概述

Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

IXTA1R4N100P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码D2PAK
包装说明TO-263, 3 PIN
针数4
Reach Compliance Code_compli
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.4 A
最大漏极电流 (ID)1.4 A
最大漏源导通电阻11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)63 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)3 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXTA1R4N100P相似产品对比

IXTA1R4N100P IXTY1R4N100P
描述 Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 D2PAK TO-252
包装说明 TO-263, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 4 3
Reach Compliance Code _compli unknown
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 100 mJ 100 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V 1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 1.4 A 1.4 A
最大漏极电流 (ID) 1.4 A 1.4 A
最大漏源导通电阻 11 Ω 11 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 63 W 63 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 3 A 3 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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