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IXFK25N80

产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 800V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小150KB,共4页
制造商IXYS
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IXFK25N80概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 800V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN

IXFK25N80规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-264AA
包装说明TO-264AA, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性AVALANCHE RATED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.35 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-264AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXFK25N80相似产品对比

IXFK25N80 IXFN25N80
描述 Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 800V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 800V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIBLOC-4
厂商名称 IXYS IXYS
包装说明 TO-264AA, 3 PIN MINIBLOC-4
针数 3 4
Reach Compliance Code unknow unknown
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
外壳连接 DRAIN ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V 800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 25 A 25 A
最大漏极电流 (ID) 25 A 25 A
最大漏源导通电阻 0.35 Ω 0.35 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PUFM-X4
元件数量 1 1
端子数量 3 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 500 W 520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A 100 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE UNSPECIFIED
端子位置 SINGLE UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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