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IDT6177S12P

产品描述Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
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文件大小46KB,共2页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT6177S12P概述

Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22

IDT6177S12P规格参数

参数名称属性值
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数22
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间12 ns
其他特性MATCH OUTPUT
JESD-30 代码R-PDIP-T22
JESD-609代码e0
长度26.797 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量22
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.191 mm
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

IDT6177S12P相似产品对比

IDT6177S12P IDT6177S12D IDT6177S15DB IDT6177S12Y
描述 Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22 Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22 Cache Tag SRAM, 4KX4, 15ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERDIP-22 Cache Tag SRAM, 4KX4, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 DIP DIP DIP SOJ
包装说明 DIP, DIP, DIP, SOJ,
针数 22 22 22 24
Reach Compliance Code compli compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 3A001.A.2.C EAR99
最长访问时间 12 ns 12 ns 15 ns 12 ns
其他特性 MATCH OUTPUT MATCH OUTPUT MATCH OUTPUT MATCH OUTPUT
JESD-30 代码 R-PDIP-T22 R-GDIP-T22 R-GDIP-T22 R-PDSO-J24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 26.797 mm 28.321 mm 28.321 mm 15.88 mm
内存密度 16384 bi 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM CACHE TAG SRAM
内存宽度 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 22 22 22 24
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C
组织 4KX4 4KX4 4KX4 4KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.191 mm 5.08 mm 5.08 mm 3.76 mm
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

 
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