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72V3622L20PQF

产品描述Bi-Directional FIFO, 512X36, 12ns, Synchronous, CMOS, PQFP132
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文件大小2MB,共28页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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72V3622L20PQF概述

Bi-Directional FIFO, 512X36, 12ns, Synchronous, CMOS, PQFP132

72V3622L20PQF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code_compli
最长访问时间12 ns
最大时钟频率 (fCLK)50 MHz
JESD-30 代码S-PQFP-G132
JESD-609代码e0
内存密度18432 bi
内存集成电路类型BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度36
端子数量132
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512X36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BQFP
封装等效代码SPQFP132,1.1SQ
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.001 A
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置QUAD

72V3622L20PQF相似产品对比

72V3622L20PQF 72V3622L20PF
描述 Bi-Directional FIFO, 512X36, 12ns, Synchronous, CMOS, PQFP132 Bi-Directional FIFO, 512X36, 12ns, Synchronous, CMOS, PQFP120
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code _compli _compli
最长访问时间 12 ns 12 ns
最大时钟频率 (fCLK) 50 MHz 50 MHz
JESD-30 代码 S-PQFP-G132 S-PQFP-G120
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 18432 bi 18432 bi
内存集成电路类型 BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度 36 36
端子数量 132 120
字数 512 words 512 words
字数代码 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 512X36 512X36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BQFP QFP
封装等效代码 SPQFP132,1.1SQ QFP120,.63SQ,16
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK FLATPACK
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.001 A 0.001 A
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.635 mm 0.4 mm
端子位置 QUAD QUAD
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