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MT58L512Y32DT-6

产品描述Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
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文件大小522KB,共34页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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MT58L512Y32DT-6概述

Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

MT58L512Y32DT-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD (800)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
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