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TBJE107K010CBLC0745

产品描述Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 100uF, Surface Mount, 2917, CHIP
产品类别无源元件    电容器   
文件大小47KB,共1页
制造商AVX
标准  
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TBJE107K010CBLC0745概述

Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (dry/solid), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 100uF, Surface Mount, 2917, CHIP

TBJE107K010CBLC0745规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称AVX
包装说明, 2917
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
电容100 µF
电容器类型TANTALUM CAPACITOR
介电材料TANTALUM (DRY/SOLID)
ESR100 mΩ
高度4.1 mm
JESD-609代码e3
长度7.3 mm
安装特点SURFACE MOUNT
负容差10%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
包装方法BULK
极性POLARIZED
正容差10%
额定(直流)电压(URdc)10 V
参考标准MIL-PRF-55365/8
尺寸代码2917
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形状J BEND
宽度4.3 mm

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TBJ Series
COTS-Plus
This series features:
• CWR11 form factor in Standard and Extended ratings.
• Low ESR Ratings (Cases A through E).
• Extended Case size (E) for ratings to 470 µF.
• Weibull Reliability Grading and Surge Test options.
All ratings in this series offer the advantages of molded body/compliant termination con-
struction, polarity, capacitance and voltage marking. The molded construction is com-
patible with a wide range of SMT board assembly processes including wave or reflow
solder, conductive epoxy or compression bonding techniques.
HOW TO ORDER
TBJ
Type
D
Case
Size
227
Capacitance
Code
pF code:
1st two digits
represent
significant
figures 3rd digit
represents
multiplier
(number of zeros
to follow)
*
Capacitance
Tolerance
M = ±20%
K = ±10%
J = ±5%
006
Voltage
Code
004 = 4Vdc
006 = 6Vdc
010 = 10Vdc
016 = 16Vdc
020 = 20Vdc
025 = 25Vdc
035 = 35Vdc
050 = 50Vdc
C
Standard or
Low ESR
Range
C = Std ESR
L = Low ESR
Packaging
B = Bulk
R = 7" T&R
S = 13" T&R
#@
Qualification/
Reliability
# = Inspection Level
S = Std. Conformance
L = Group A
@ = Failure Level
Weibull:
B = 0.1%/1000 hrs,
90% conf.
C = 0.01%/1000 hrs,
90% conf.
D = 0.001%/1000 hrs,
90% conf.
Comm: Z = Non ER
00
Termination
Finish
09 = Gold Plated
08 = Hot Solder
Dipped
07 = 100% Tin
00 = Solder Fused
++
Surge Test
Option
00 = None
23 = 10 cycles,
+25°C
24 = 10 cycles,
-55°C &
+85°C
45 = 10 cycles,
-55ºC &
+85ºC
before
Weibull
CAPACITANCE AND RATED VOLTAGE, V
R
(VOLTAGE CODE) RANGE
(LETTER DENOTES CASE SIZE) (ESR OPTIONS IN PARENTHESIS)
Capacitance
µF
Code
0.15
0.22
0.47
0.68
1.0
1.5
2.2
3.3
4.7
6.8
10
154
224
474
684
105
155
225
335
475
685
106
4
6
10
Rated voltage DC (V
R
) to 85ºC
16
20
25
35
50
A(8000)
A(6000)
A(5000)
A(4000)
A(5000)
A(4000)
A(1800, 3000)
A(1000, 3200)
B(600)
B(500, 700)
C(300)
A(5500)
A(3500 ,5000)
A(2000)
A(1500), B(1200)
A(3000), B(900)
A(6500)
A(3000)
A(1800, 4000)
B(1000)
B(1000)
B(500, 1000)
C(700)
B(500), C(450)
D(275)
B(600)
C(400)
D(275)
C(300)
D(100, 200)
D(100, 2000)
E(150)
D(70, 200)
3(125, 200)
V(60)
16
156
A(3500)
A(3000)
B(600)
A(3000)
B(600)
B(500, 800)
B(600)
C(175, 375)
B(500)
22
226
A(15000)
A(18000)
A(12000)
A(9500), B(9500)
A(10000)
A(8000)
A(7900)
A(8000)
A(7500)
A(6600), B(7000)
A(3000, 7500) A(7500), B(5200) C(2000), D(1500)
A(7000), B(2000)
B(2000)
D(1200)
B(2000)
B(1000)
D(800)
A(3100)
B(1500)
D(300)
B(700, 1500)
C(600)
3(300)
C(350), D(400)
B(700,2800)
D(300, 600)
E(300)
C(1600)
C(300, 500)
D(125, 300)
E(400)
E(250)
C(450)
D(275), E(200)
D(100, 300)
D(250), E(250)
E(250)
C(275, 400)
D(400)
D(100, 200)
D(125)
E(225)
E(125, 300)
D(100, 300)
E(100, 175)
D(175, 250)
V(95)
D(200, 300)
E(300)
E(250)
V(200)
33
47
68
100
150
220
330
470
1000
336
476
686
107
157
227
337
477
108
A(700)
C(100, 300)
B(425, 650)
D(250)
C(500)
C(200, 350)
C(110, 350)
C(300)
D(200)
D(80, 150)
B(500), C(200)
C(80, 300)
A(1500)
D(150)
D(175)
D(150), E(150)
C(75, 200)
D(50, 125)
A(1400), B(900)
C(75, 150)
D(50, 100), E(100)
E(100)
D(125), E(125) D(50, 100), E(100) D(60, 150) V(45)
D(50, 150)
D(50, 125), E(100)
V(50)
E(50, 100)
D(50, 150)
E(50, 150)
E(50, 100), V(40)
E(50, 200), V(40) E(50, 200), V(40)
E(200)
Released codes
(M tolerance only)
25
USART1初始化遇到问题
初始化步骤如下:1:RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_USART1|RCC_APB2Periph_GPIOA|RCC_APB2Periph_AFIO,ENABLE);2:USART_DeInit(USART1);3:USART_Init(USART1,&USART_InitStructure ......
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