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BR2508

产品描述25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小79KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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BR2508概述

25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BR25005 - - - BR2510
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 25.0 A
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to
300
Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
BR
METAL HEAT SINK
.452
(11.5)
MAX
.480(12.2)
.425(10.8)
PLASTIC
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
Mounting: thru hole for # 8 screw
mounting
.732(18.6)
.692(17.6)
-
1.181(30.0)
1.102(28.0)
.673(17.1)
.633(16.1)
HOLE FOR
NO.8 SCREW
AC
+
1.181(30.0)
1.102(28.0)
.673(17.1)
.633(16.1)
AC
.582(14.8)
.543(13.8)
.033x 250
(0.8x 6.4)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BR
25005
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
BR
2501
100
70
100
BR
2502
200
140
200
BR
2504
400
280
400
25.0
BR
2506
600
420
600
BR
2508
800
560
800
BR
2510
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
at
12.5A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
300.0
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
5.0
0.5
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
www.galaxycn.com
Document Number 0287051
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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BR2508 BR2510
描述 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 25 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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