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BR1008G

产品描述BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小30KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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BR1008G概述

BRIDGE RECTIFIER DIODE

桥式整流二极管

BR1008G规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
二极管类型桥式整流二极管

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BR10G SERIES
GLASS PASSIVATED
BRIDGE RECTIFIERS
FEATURES
Surge overload rating -200 amperes peak
Low forward voltage drop
Small size; simple installation
Sliver plated copper leads
Mounting position: Any
.052(1.3)
DIA.
.048(1.2)
.750
(19.0)
MIN
REVERSE VOLTAGE
FORWARD CURRENT
BR8
-
-
50
to
1000Volts
10.0
Amperes
.296(7.5)
.255(6.5)
.770(19.6)
.730(18.5)
HOLE FOR
NO.6 SCREW
.520(13.2)
.480(12.2)
.770(19.6)
.730(18.5)
Polarity shown on side of case, Positive lead by beveled corner.
.520(13.2)
.480(12.2)
Dimensions in inches and (milimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum Average
Forward Rectified
Output Current at
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load
Maximum Forward Voltage Drop
Per Bridge Element at 5.0A Peak
Maximum Reverse Current at Rated T
A
=25℃
DC Blocking Voltage Per Element
Operating Temperature Rang
Storage Temperature Rang
Notes:1.Unit mounted on metal chassis
2. Unit mounted on P.C. board
T
A
=100℃
Tc=50℃
T
A
=100℃ (Note1)
T
A
=50℃ (Note2)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
I
(AV)
BR
10005G
50
30
BR
1001G
100
70
BR
1002G
200
140
BR
1004G
400
280
10.0
6.0
6.0
BR
1006G
600
420
BR
1008G
800
560
BR
1010G
1000
700
UNIT
V
V
A
I
FSM
200
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
1.0
-55 to +150
-55 to +150
V
uA
mA
~ 383 ~

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