Silizium-Differential-Fotodiode
Silicon Differential Photodiode
BPX 48
BPX 48 F
BPX 48
BPX 48 F
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm (BPX 48) und bei
920 nm (BPX 48 F)
• Hohe Fotoempfindlichkeit
• DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
• Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäßigkeit
Features
• Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (BPX 48) and of 920 nm
(BPX 48 F)
• High photosensitivity
• DIL plastic package with high packing density
• Double diode with extremely high
homogeneousness
Application
•
•
•
•
•
Follow-up control
Edge control
Path and angle scanning
Industrial electronics
For control and drive circuits
Anwendungen
•
•
•
•
•
Nachlaufsteuerung
Kantenführungen
Weg- bzw. Winkelabtastungen
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln“
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P17-S1
Q62702-P305
Typ
Type
BPX 48
BPX 48 F
2001-02-21
1
BPX 48, BPX 48 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse
entfernt bei Lötzeit
t
≤
3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from
case bottom (
t
≤
3 s)
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 80
230
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
V
R
P
tot
10
50
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
per single diode system
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K,
E
V
= 1000 Ix
V
R
= 5 V,
λ
= 950 nm,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Symbol
Symbol
BPX 48
Wert
Value
BPX 48 F
Einheit
Unit
I
P
I
P
λ
S max
λ
24 (≥ 15)
–
900
400 … 1150
–
7.5 (≥ 4.0)
920
750 … 1150
µA
µA
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
1.54
0.7
×
2.2
1.54
0.7
×
2.2
mm
2
mm
×
mm
0.5
0.5
mm
2001-02-21
2
BPX 48, BPX 48 F
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
per single diode system (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ
= 850 nm
λ
= 950 nm
Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der
Systeme vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral sensitivity
from the average
Quantenausbeute
Quantum yield
λ
= 850 nm
λ
= 950 nm
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 1 kΩ;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 20
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 40 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Symbol
Symbol
BPX 48
ϕ
±
60
10 (≤ 100)
Wert
Value
BPX 48 F
±
60
10 (≤ 100)
Grad
deg.
nA
Einheit
Unit
I
R
S
λ
S
λ
∆
S
0.55
–
±
5
–
0.65
±
5
A/W
%
Electrons
Photon
η
η
0.8
–
–
0.95
V
O
V
O
330 (≥ 280)
–
–
300 (≥ 280)
mV
mV
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
24
–
500
–
7
500
µA
µA
ns
V
F
C
0
TC
V
1.3
25
– 2.6
1.3
25
– 2.6
V
pF
mV/K
2001-02-21
3
BPX 48, BPX 48 F
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
für jede Einzeldiode
Characteristics
(
T
A
= 25
°C)
per single diode system (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Normlicht/standard light A
λ
= 950 nm
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm
Detection limit
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
Symbol
Symbol
BPX 48
Wert
Value
BPX 48 F
Einheit
Unit
TC
I
TC
I
NEP
0.18
–
1.0
×
10
– 13
–
0.2
1.0
×
10
– 13
%/K
%/K
W
-----------
-
Hz
cm
×
Hz
-------------------------
-
W
D*
1.2
×
10
12
1.2
×
10
12
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2001-02-21
4
BPX 48, BPX 48 F
Relative Spectral Sensitivity
BPX 48
S
rel
=
f
(λ)
Relative Spectral Sensitivity
BPX 48 F
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-Circuit Voltage
V
O
=
f
(E
v
)
BPX 48
Photocurrent
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
Open-Circuit-Voltage
V
O
=
f
(E
e
)
BPX 48 F
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark Current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark Current
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V
2001-02-21
5
嵌入式系统
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