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BLF6G10-200RN

产品描述SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小10MB,共130页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BLF6G10-200RN概述

SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE

BLF6G10-200RN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)49 A
最大漏极电流 (ID)49 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度225 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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