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24C01C-C/MCG: 产品描述128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, DFN-8; 产品类别存储存储; 文件大小876KB，共44页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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24C01C-C/MCG概述

128 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, DFN-8

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SON
包装说明	2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MO-229, DFN-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
长度	3 mm
内存密度	1024 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装等效代码	SOLCC8,.11,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	1.5 ms
Base Number Matches	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ