WMS512K8-85DJM,WMS512K8-85DJM pdf中文资料,WMS512K8-85DJM引脚图,WMS512K8-85DJM电路-Datasheet-电子工程世界

WMS512K8-85DJM: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36; 产品类别存储存储; 文件大小139KB，共5页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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WMS512K8-85DJM概述

Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	CERAMIC, SOJ-36
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDSO-J36
JESD-609代码	e0
长度	23.37 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.7 mm
最大待机电流	0.0004 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	11.3 mm

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