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B125-C1000

产品描述SILICON BRIDGE RECTIFIERS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小24KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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B125-C1000概述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

B125-C1000规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压250 V
表面贴装NO

B125-C1000相似产品对比

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描述 SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS SILICON BRIDGE RECTIFIERS
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
Reach Compliance Code compli - compli compli compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 40 A - 40 A 40 A 40 A
元件数量 4 - 4 4 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A - 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 250 V - 800 V 80 V 160 V
表面贴装 NO - NO NO NO
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