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B125C800G

产品描述0.9 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小85KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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B125C800G概述

0.9 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

B125C800G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流45 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.9 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

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B40C800G, B80C800G, B125C800G, B250C800G, B380C800G
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
FEATURES
+
~
• Ideal for printed circuit boards
• High case dielectric strength
• High surge current capability
~
+
~
~
Case Style WOG
e4
• Typical I
R
less than 0.1 μA
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: For definitions of
compliance please see
www.vishay.com/doc?99912
PRIMARY CHARACTERISTICS
Package
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
at I
F
= 0.9 A
T
J
max.
Diode variations
WOG
0.9 A
65 V, 125 V, 200 V, 400 V, 600 V
45 A
10 μA
1.0 V
125 °C
Quad
TYPICAL APPLICATIONS
General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification
for power supply, adapter, charger, lighting ballaster on
consumers, and home appliances applications.
MECHANICAL DATA
Case:
WOG
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E4 - RoHS-compliant, commercial grade
Terminals:
Silver plated
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
As marked on body
leads,
solderable
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS input voltage R- and C-load
Maximum average forward output current
for free air operation at T
A
= 45 °C
Maximum non-repetitive peak voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum peak working voltage
Maximum repetitive peak forward surge current
Peak forward surge current single sine-wave on rated load
Rating for fusing at T
J
= 125 °C (t < 100 ms)
Minimum series resistor C-load at V
RMS
= ± 10 %
Maximum load capacitance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
+ 50 %
- 10 %
R- and L-load
C-load
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
I
F(AV)
V
RSM
V
DC
V
RWM
I
FRM
I
FSM
I
2
t
R
T
C
L
T
J
T
STG
1.0
5000
2.0
2500
100
65
90
200
125
180
B40
C800G
65
40
B80
C800G
125
80
B125
C800G
200
125
0.9
0.8
350
200
300
10
45
10
4.0
1000
- 40 to + 125
- 40 to + 150
8.0
500
12
200
600
400
600
1000
600
900
B250
C800G
400
250
B380
C800G
600
380
UNIT
V
V
A
V
V
V
A
A
A
2
s
μF
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward
voltage drop per diode
Maximum reverse current at rated
repetitive peak voltage per diode
TEST CONDITIONS
0.9 A
SYMBOL
V
F
I
R
B40
C800G
B80
C800G
B125
C800G
1.0
10
B250
C800G
B380
C800G
UNIT
V
μA
Revision: 08-Jul-13
Document Number: 88534
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

B125C800G相似产品对比

B125C800G B250C800G B380C800G B40C800G B80C800G
描述 0.9 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 0.9 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 0.9 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 0.9 A, 65 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 0.9 A, 125 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V 1 V 1 V
最大非重复峰值正向电流 45 A 45 A 45 A 45 A 45 A
元件数量 4 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.9 A 0.9 A 0.9 A 0.9 A 0.9 A
最大重复峰值反向电压 200 V 400 V 600 V 65 V 125 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
厂商名称 Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
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