512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8
512 × 8 I2C/2-线 串行 电可擦除只读存储器, PDSO8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) |
| 零件包装代码 | TSSOP |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 100 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DDMR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 内存密度 | 4096 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 512 words |
| 字数代码 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000003 A |
| 最大压摆率 | 0.003 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| AT24HC04B-TH-T | AT24HC04B-TH-B | AT24HC04B-W-11 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 | 512 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 零件包装代码 | TSSOP | TSSOP | DIE |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 | TSSOP, TSSOP8,.25 | DIE, |
| Reach Compliance Code | compli | compli | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | X-XUUC-N |
| 内存密度 | 4096 bi | 4096 bi | 4096 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 字数 | 512 words | 512 words | 512 words |
| 字数代码 | 512 | 512 | 512 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 512X8 | 512X8 | 512X8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | TSSOP | TSSOP | DIE |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | UNCASED CHIP |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 串行总线类型 | I2C | I2C | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | UPPER |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Atmel (Microchip) | - | Atmel (Microchip) |
| 针数 | 8 | 8 | - |
| 数据保留时间-最小值 | 100 | 100 | - |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | - |
| I2C控制字节 | 1010DDMR | 1010DDMR | - |
| JESD-609代码 | e4 | e4 | - |
| 长度 | 4.4 mm | 4.4 mm | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 8 | 8 | - |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 | TSSOP8,.25 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | - |
| 电源 | 2/5 V | 2/5 V | - |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | - |
| 最大待机电流 | 0.000003 A | 0.000003 A | - |
| 最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA | - |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
| 端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - |
| 宽度 | 3 mm | 3 mm | - |
| 写保护 | HARDWARE | HARDWARE | - |
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