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AP9992GR-HF

产品描述N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小130KB,共4页
制造商APEC
标准
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AP9992GR-HF概述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

AP9992GR-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称APEC
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)120 A
最大漏源导通电阻0.0035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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