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SML5017BVR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 0.17ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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SML5017BVR概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 0.17ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

SML5017BVR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)1300 mJ
外壳连接ISOLATED
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.17 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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