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SML20B56R3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小21KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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SML20B56R3概述

Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD

SML20B56R3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)1300 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)56 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)224 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SML20B56R3相似产品对比

SML20B56R3
描述 Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
是否Rohs认证 符合
厂商名称 TT Electronics plc
Reach Compliance Code compli
ECCN代码 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 1300 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (ID) 56 A
最大漏源导通电阻 0.045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 224 A
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
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