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SML100J22

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小23KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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SML100J22概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

SML100J22规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Codecompli
雪崩能效等级(Eas)1300 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.43 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)88 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SML100J22相似产品对比

SML100J22 SML100J22R3
描述 Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 符合
Reach Compliance Code compli compliant
雪崩能效等级(Eas) 1300 mJ 1300 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 1000 V 1000 V
最大漏极电流 (ID) 22 A 22 A
最大漏源导通电阻 0.43 Ω 0.43 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PUFM-X4 R-PUFM-X4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 88 A 88 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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