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THLY12N11B70

产品描述IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, SODIMM-144, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小631KB,共13页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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THLY12N11B70概述

IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, SODIMM-144, Dynamic RAM

THLY12N11B70规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM144,32
针数144
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.68 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

THLY12N11B70相似产品对比

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描述 IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, SODIMM-144, Dynamic RAM IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, SODIMM-144, Dynamic RAM IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144, SODIMM-144, Dynamic RAM IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA144, SODIMM-144, Dynamic RAM IC 16M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA144, SODIMM-144, Dynamic RAM
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32
针数 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 143 MHz 143 MHz 133 MHz 125 MHz 125 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 1073741824 bi 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi 1073741824 bi
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.68 mA 0.68 mA 0.64 mA 0.6 mA 0.6 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)

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