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TBP18S42MJ

产品描述IC,PROM,512X8,TTL,DIP,20PIN,CERAMIC
产品类别存储    存储   
文件大小42KB,共1页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TBP18S42MJ概述

IC,PROM,512X8,TTL,DIP,20PIN,CERAMIC

TBP18S42MJ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明DIP, DIP20,.3
Reach Compliance Code_compli
最长访问时间85 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T20
内存密度4096 bi
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
端子数量20
字数512 words
字数代码512
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512X8
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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